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Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt. RD70HUF2

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RF PARTS
Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.DESCRIPCIÓNRD70HUF2 es un transistor de tipo MOS FET específicamente diseñado para aplicaciones de amplificadores de potencia VHF / UHF RF.CARACTERISTICAS1. Suministro con cinta y carrete.

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    • Peso
      0.01 kg
    • SKU
      SYS-RD70HUF2
    • Modelo
      RD70HUF2
  • Marca
    RF PARTS


Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.

DESCRIPCIÓN

RD70HUF2 es un transistor de tipo MOS FET específicamente diseñado para aplicaciones de amplificadores de potencia VHF / UHF RF.

CARACTERISTICAS

1. Suministro con cinta y carrete. 500 Unidades por Carrete

2. Empleando el paquete de molde

3. Alta potencia y alta eficiencia

Pout = 75Wtyp, Drain Effi. = 64% typ @ Vds = 12.5V Idq = 1.0A Pin = 5.5W f = 530MHz

Pout = 84Wtyp, Drain Effi. = 74% typ @ Vds = 12.5V Idq = 1.0A Pin = 4.0W f = 175MHz

4. Diodo integrado de protección de la puerta.

APLICACION

Etapa de salida de amplificadores de alta potencia en banda VHF / UHF de radios móviles.

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