DDR4 ofrece múltiples ventajas sobre generaciones anteriores DRAM y ADATA ofrece la más alta calidad y el rendimiento más rápido. Nuestros módulos de memoria SO-DIMM DDR4 2666 Premier para portátiles llegan con 8GB a 16GB para una actualización rápida y fácil en cualquier portátil compatible. Ofrecen transferencias de datos más rápidas que DDR3, además de un menor consumo energético que reduce el calor y aumenta la duración de la batería. Nuestra DDR4 también está optimizada para dar rienda suelta a la potencia de los últimos procesadores Intel.
Muy rápida y ultraeficienteLos módulos DDR4 ADATA para portátiles aprovechan ventajas de la nueva generación de productos económicos y de alta fiabilidad. DDR4 ofrece un mayor rendimiento gracias a frecuencias más rápidas en comparación con DDR3, subiendo hasta 2666MHz. Esto lo consigue operando a tan sólo 1.2V, que es 20% menos que DDR3 en términos de consumo energético.
Cumple los exigentes estándares de las plataformas de nueva generación
- Cumple con los estándares JEDEC
- Compatible con RoHS
- Soporta las plataformas Intel Skylake y Coffee Lake, preparado para futuras plataformas Kaby Lake y Cannon Lake
Garantía de por vidaTodos los módulos de memoria ADATA han sido producidos y probados usando rigurosos procesos de control de calidad para un procesamiento rápido y una operación estable. Además, los módulos de memoria ADATA ofrecen a los clientes una garantía de por vida para asegurar al máximo un servicio excelente.
ADATA AD4S2666J4G19-S. Componente para: Computadora portátil, Memoria interna: 4 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB, Tipo de memoria interna: DDR4, Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz, Factor de forma de memoria: 260-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 19
Características
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| Memoria interna: |
4 GB |
| Tipo de memoria interna: |
DDR4 |
| Velocidad de memoria del reloj: |
2666 MHz |
| Componente para: |
Computadora portátil |
| Factor de forma de memoria: |
260-pin SO-DIMM |
| Diseño de memoria (módulos x tamaño): |
1 x 4 GB |
| Latencia CAS: |
19 |
| Voltaje de memoria: |
1.2 V |
| Configuración de módulos: |
512M x 16 |
| Estándar JEDEC: |
Si |
| Acorde RoHS: |
Si |
Condiciones ambientales
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| Intervalo de temperatura operativa (T-T): |
0 - 85 °C |
